三、承担510工程军工紧急生产任务和提高硅整流元件的高压成品率

    1970年4月硅元件厂第一次正式接受国家下达的510紧急军工生产任务，要求在短时间内生产一批5A/1600V和50A/1600V硅整流元件共3000只。

    在当时国内工艺水平下，要达到这样高的电压水平是很困难的。况且我们刚上马，还不太熟悉生产工艺，加上材料、设备和人力均不足，要在短期内完成这项任务困难重重，但我们团结一致，艰苦奋斗，终于在1970年底提前超额完成这一艰巨任务，受到湖北省电子工业局表扬，并得到国家经委一万元的科研经费补贴。

    办厂初期，我们研制硅整流元件的工艺是从武汉邮电器材厂学来的，但随着大电流高电压硅整流元件的研制和生产，这些工艺已适应不了需要。围绕提高硅整流元件的质量问题，开展了群众性的技术攻关工作，全面分析影响硅元件反向电压和正向压降的各种因素。从单晶参数、扩散问题、烧结问题、表面处理问题入手深入进行研究，提出解决的措施，大胆进行工艺创新的实验，比较实验的结果，从中确定最佳的工艺方案。通过反复的实验，使200A硅整流元件的质量有了显著的提高。

    1971年6月研制成功的200A/2000~3000V风冷硅整流元件，在电压水平和高电压成品率方面为当时国内的先进水平。“200A/3000V扩散法风冷硅整流元件”列入1971年湖北省科研成果汇编中。1971年8月撰写的《提高200A硅整流元件质量的体会》一文，充分体现了理论与实践的结合，1972年4月该文在《华工科技》发表。此文获得同行的一致好评。

    200A硅整流元件投入大批量生产，供不应求，在国内享有盛誉。硅元件厂取得了明显的经济效益，从此在经济上可以自给，略有结余。

四、实现两个“三结合”

    举办硅元件专业培训班，实现科研、生产、教学三结合。1971年3月~1971年底举办硅元件专业短期培训班。学员来自武汉电子设备厂、武昌整流器厂、武汉半导体器件四厂和华中工学院硅元件厂。

    积极参加全国性的技术攻关工作，实现学校、研究所、工厂的三结合。1972年9月~1973年6月硅厂派青年教师余岳辉和陈涛参加在西安整流器研究所进行的“全国高压可控硅（200A/5000V）攻关”工作。1972年6月硅厂派教师白祖林（1972年6月~9月）和青年教师刘业伟（1972年6月~1973年6月）参加在上海华东开关厂进行的“全国可控硅参数测试攻关”工作。派教师，特别是年轻教师参加全国性的技术攻关工作，使他们有机会和国内一流专家一道工作，大大提高他们的业务水平和实际工作能力，促进他们的成长。

五、最辉煌的顶点：451工程

   （一）争取和承担451工程任务

    1972—1973年，硅元件厂开展了500A硅整流元件和500A可控硅整流的研制工作。

    1973年6月，西南585所的同志到硅元件厂考察500A/2000V硅整流元件的质量。他们感叹地说：“你们对国家作出了重大贡献。”并流露出选用硅元件厂生产的500A/2000V硅整流元件的意愿，打算用于他们的451工程。

    451工程是国防科委一个重大的工程项目，用于西南585所“受控热核反应”项目中的一个关键设备：大功率高压脉冲硅整流装置，用以产生一个脉冲强磁场。时任585所项目负责人是潘垣（现为中国工程院院士、我校教授）。

    党委书记朱九思同志直接领导了451工程的争取工作。1973年10月学校委派李再光、陈珠芳、黄天柱、王敬义、白祖林等人前往585所洽谈“451”工程合作事宜，基本达成协议。时任院科研生产处科长的杨佐仪主管该项目的协议书。

    1973年底，硅元件厂正式承担451工程任务：由二机部西南585所委托华中工学院研制“24000A7000V大功率高压脉冲硅整流装置”，其中需要研制500A/2000V平板型风冷硅整流元件3072只，加备品300只，共计3372只，组装成整流柜48台，加样机2台，共50台。该项目的总经费为500万。此项目的总经费成为华中工学院建校以来经费最多的科研项目。

    1973年硅元件厂新组建了“硅元件装置组”。组长王敬义、副组长白祖林、肖成章、张家森。组员有贺英全、刘立贤、赵玉清、胡惠娟、施安静等。

    1973年底我结束了咸宁的劳动锻炼返回学校，便立即从可控硅科研组调回硅元件组，主管451工程500A/2000V风冷硅整流元件的研制和生产工作。

    此时硅元件组的人员为：组长余岳辉，副组长我，成员：黎木林、李德明、翁玉嫦、罗汉玉、邱思畴、戚姗英、黄秋芝、罗明生、万时山、韩桂荣、漆瑞波、马小玲、占宏国、查忠慧、梁友生等。

    硅元件厂测试组人员为：组长许瑞茂；组员：彭小娟、刘业伟、陈冬珍、周清香。硅元件厂金工组的人员为：组长陈忠玲；组员：胡长松、杨传谱、凃国清、刘彩云、罗汉京、王金荣。